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产品信息
数据列表:SH8M12
标准包装:2,500
包装:标准卷带
零件状态:不適用於新設計
类别:分立半导体产品
产品族:晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A，7A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）:21 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）:2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）:8.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）:630pF @ 10V
功率 - 值:2W
工作温度:150°C（TJ）
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装:8-SOP